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NT5CB256M8GN-CG

The NT5CB256M8GN-CG is a high-speed CMOS Double Data Rate32 SDRAM containing 2,147,483,648 bits, it is internally configured as an octal-bank DRAM.
型号:NT5CB256M8GN-CG
品牌:Nanya
封装:FBGA
批号:12+
库存:300

规格书(Datesheet):NT5CB256M8GN-CG.PDF 点击下载

商品信息

Features  

  • VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V(JEDEC Standard Power Supply)
  • VDD = VDDQ = 1.35V -0.0675V/+0.1V (Backward Compatible to VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V)
  • 8 Internal memory banks (BA0- BA2)
  • Differential clock input (CK, ??)
  • Programmable Latency: 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11
  • WRITE Latency (CWL): 5,6,7,8,9
  • POSTED CAS ADDITIVE Programmable Additive Latency (AL): 0, CL-1, CL-2 clock
  • Programmable Sequential / Interleave Burst Type
  • hrough ZQ pin (RZQ:240 ohm±1%)
  • Programmable Burst Length: 4, 8
  • 8n-bit prefetch architecture
  • Output Driver Impedance Control
  • Differential bidirectional data strobe
  • Internal(self) calibration:Internal self calibration
  • OCD Calibration
  • Dynamic ODT (Rtt_Nom & Rtt_WR)
  • Auto Self-Refresh
  • Self-Refresh Temperature
  • RoHS compliance and Halogen free
  • Packages: 78-Balls BGA for x4, x8 components

 

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地址:深圳市宝安区西乡新湖路与劳动路交叉口宝捷安经贸中心503(罗宝线坪洲地铁站B出口)

公司官网:http://www.sunnyqi.com/

样品及询价

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售后服务

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