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MX25L1606EM2I是Macronix公司推出的一款16M CMOS闪存芯片，该芯片提供支持多种外围接口和软件协议，它支持连续的读写操作，高效、低能耗。该芯片拥有优良的安全机制，如块保护、设OTP独立区等。QQ:1762516767 18675554078，原装现货，欢迎交流。（更多详情）

MX25L1606EM2I的采购信息如下：

MX25L1606EM2I的主要功能特性包括：

GENERAL

1、Single Power Supply Operation

    - 2.7 to 3.6 volt for read, erase, and program operations

2、Serial Peripheral Interface compatible -- Mode 0 and Mode 3

3、8M: 8,388,608 x 1 bit structure or 4,194,304 x 2 bits (Dual Output mode) structure

  16M: 16,777,216 x 1 bit structure or 8,388,608 x 2 bits (Dual Output mode) structure

4、256 Equal Sectors with 4K byte each (8Mb)

  512 Equal Sectors with 4K byte each (16Mb)

  - Any Sector can be erased individually

5、16 Equal Blocks with 64K byte each (8Mb)

  32 Equal Blocks with 64K byte each (16Mb)

  - Any Block can be erased individually

6、Program Capability

   - Byte base

  - Page base (256 bytes)

7、Latch-up protected to 100mA from -1V to Vcc +1V

PERFORMANCE

1、High Performance

  - Fast access time: 86MHz serial clock

  - Serial clock of Dual Output mode : 80MHz 

  - Fast program time: 1.4ms(typ.) and 5ms(max.)/page 

  - Byte program time: 9us (typical)

  - Fast erase time: 60ms(typ.) /sector ; 0.7s(typ.) /block 

2、Low Power Consumption

   - Low active read current: 16Mb: 25mA(max.) at 86MHz; 8Mb: 12mA(max.) at 86MHz

   - Low active programming current: 20mA (max.)

   - Low active erase current: 20mA (max.)

   - Low standby current: 25uA (max.)   

  - Deep power-down mode 5uA (typical)

3、Typical 100,000 erase/program cycles 

4、20 years of data retention 

MX25L1606EM2I的典型应用电路如下： 

MX25L1606EM2I的管脚图如下：

 (以上信息由深圳桑尼奇科技有限公司提供)