16
2013
07

NT5CB256M8GN-CG

           NT5CB256M8GN-CG是南亚(NANYA)公司推出的一款2GB DDR3 同步动态RAM,该芯片除按照DDR3 DRAM特性进行设计外,所有的控制及地址输入都能与外部提供的时钟保持同步。在一般应用程序数据传输中,其DDR传输速率可高达1600Mb/sec/pin。该芯片主要适用于需大量存储密度和高带宽的主内存的应用程序。(更多详情

NT5CB256M8GN-CG的采购信息如下:

 image

NT5CB256M8GN-CG的主要功能特性包括:

1VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V (JEDEC Standard Power Supply) 

2VDD = VDDQ = 1.35V -0.0675V/+0.1V (Backward Compatible to VDD = VDDQ = 1.5V±0.075V) 

38 Internal memory banks (BA0- BA2) 

4Differential clock input (

5Programmable  Latency ()5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 

6WRITE Latency (CWL): 5,6,7,8,9 

7POSTED CAS ADDITIVE Programmable Additive Latency (AL): 0, CL-1, CL-2 clock 

8Programmable Sequential / Interleave Burst Type Through ZQ pin (RZQ:240 ohm±1%)

9Programmable Burst Length4, 8 

108n-bit prefetch architecture 

11Output Driver Impedance Control 

12Differential bidirectional data strobe 

13Internal(self) calibration:Internal self calibration    

14OCD Calibration 

15Dynamic ODT (Rtt_Nom & Rtt_WR)   

16Auto Self-Refresh 

17Self-Refresh Temperature 

18RoHS compliance and Halogen free 

19Packages78-Balls BGA for x4, x8 components 

NT5CB256M8GN-CG的功能框图如下:

image 

NT5CB256M8GN-CG的管脚图如下:

 

 image

 

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