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2GB的DDR3 SDRAM q-die被组织成像一个16mbit x 16/ OS X 8库存设备。这种同步装置实现高速双数据速率传输速率高达1866mb /sec/pin（ddr3-1866）一般用途。该芯片的设计符合以下关键DDR3 SDRAM CAS可编程等特点，张贴，CWL，内部（自给）的校准，终结使用ODT引脚和异步复位。所有的控制和地址输入同步与一对外部提供的差分时钟。输入被锁在了差分时钟交叉点（对照上升和CK下降）。所有的I / O是一对双向闪光灯同步（DQS和DQS）在源同步时尚。总线用于在RAS / CAS多路复用方式中传送行、列和库存地址信息。DDR3器件采用单1.35v（1.28v ~ 1.45v）或1.5V（1.425v ~ 1.575v）电源和1.35v（1.28v ~ 1.45v）或1.5V（1.425v ~ VDDQ 1.575v）。的2GB DDR3 q-die装置在96balls FBGA是可用的(x16). 如有更好的建议，请多指教。QQ:3259054252 TEL：18820170705  刘生    欢迎交流〔深圳桑尼奇科技有限公司〕。                                            

K4B2G1646Q封装引脚/机械尺寸和寻址：

K4B2G1646Q FBGA的包装尺寸：

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