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NT5CB256M16BP

NT5CB256M16BP 是南亚（NANAY）公司推出的一款4Gb Double-Data-Rate-3 DRAM ，该芯片由64Mbit×8I/Os×8和 32Mbit*16*8同步动态存储器构成，其数据传输率能达到2133Mb/s/pin。该芯片主要适用于需大量存储密度和高带宽的主内存的应用程序。在RK3188等方案中用到。QQ:1762516767 手机：18675554078，原装现货，欢迎交流。（更多详情）

NT5CB256M16BP的采购信息如下：

NT5CB256M16BP的主要功能特性包括：

1.35V -0.0675V/+0.1V & 1.5V ± 0.075V

8 Internal memory banks (BA0- BA2)

Differential clock input (CK, )

Programmable Latency: 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12,and 13

WRITE Latency (CWL): 5,6,7,8 and 9

POSTED CAS ADDITIVE Programmable Additive

Latency (AL): 0, CL-1, CL-2 clock

Programmable Sequential / Interleave Burst Type

Programmable Burst Length: 8, 4with Burst Chop

8n-bit prefetch architecture

Output Driver Impedance Control

Differential bidirectional data strobe

Internal(self) calibration:Internal self calibration

OCD Calibration

Through ZQ pin (RZQ: 240 ohm±1%)

Dynamic ODT (Rtt_Nom & Rtt_WR)

Automatic Self Refresh (ASR)

Self refresh mode and Partial array self refresh

 Thermal sensor on die using MPR

 T case=95℃ (with 2X refresh);

T case=85℃ (with 1X refresh)

SSTL_15 JEDEC standard compatible inputs/outputs interface

RoHS compliance and Halogen free

 Packages:

78-Balls BGA for x8 components

96-Balls BGA for x16 components

NT5CB256M16BP的管脚图如下：

96-Balls BGA

 (以上信息由深圳市桑尼奇科技有限公司提供)